桑ポンのブログ

多結晶　SiC一番　効果的

多結晶半導体は有るには有るのです。
SiC(シック)が融点が高いので、単結晶にするのが難しく、多結晶で有利だと思います。

Geの文献は出て来るのですが、SiCの多結晶でトランジスターが案外見つかりません。
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2013/pr20131212_2/pr20131212_2.html

パワー半導体としては、SiCがSiの次に注目されているので。
バンドギャップが大きく、熱に強く、絶縁性も大きいので。

空気の窒素がドーピングになるはずで、Si辺りの多結晶半導体の作りかたが解らないと作れないかもしれません。

SiCの絶縁体は作られています。
それが近いかもしれません。
単に基板で良いので。
https://www.shinano-sic.co.jp/w_sic.html